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    產(chǎn)品目錄

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    北京華科盛精細(xì)化工產(chǎn)品貿(mào)易有限公司
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    產(chǎn)品中心

    鎵標(biāo)準(zhǔn)儲備液

    • 型   號:100ml
    • 價   格:120

    北京華科盛精細(xì)化工產(chǎn)品貿(mào)易有限公司生產(chǎn)銷售鎵標(biāo)準(zhǔn)儲備液:鎵是一種無機(jī)化合物,化學(xué)式為Ga2O3。別名三氧化二鎵,是一種寬禁帶半導(dǎo)體,Eg=4.9eV,其導(dǎo)電性能和發(fā)光特性長期以來一直引起人們的注意。Ga2O3是一種透明的氧化物半導(dǎo)體材料,在光電子器件方面有廣闊的應(yīng)用前景 ,被用作于Ga基半導(dǎo)體材料的絕緣層,以及紫外線濾光片。它還可以用作O2化學(xué)探測器。

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    北京華科盛精細(xì)化工產(chǎn)品貿(mào)易有限公司生產(chǎn)銷售鎵標(biāo)準(zhǔn)儲備液

    物理性質(zhì)


     
    白色三角形的結(jié)晶顆粒。不溶于水。微溶于熱酸或堿溶液。熔點(diǎn)1900℃(在600℃時轉(zhuǎn)化為β型)。
    易溶于堿金屬氫氧化物和稀無機(jī)酸。
    有α,β兩種變體。α型為白色菱形六面體。
    物性數(shù)據(jù):
    性狀:α-Ga2O3為六方晶型,β-Ga2O3屬于單斜晶型。
    熔點(diǎn)(oC):1740
    溶解性:不溶于水。微溶于熱酸或堿溶液。

    制備


     
    1.向三氯化鎵GaCl3的熱水溶液中加NaHCO3的高濃熱水溶液,煮沸到鎵的氫氧化物全部沉淀出來為止。用熱水洗滌沉淀至沒有Cl-為止,在600℃以上煅燒則得到β-Ga2O3。殘留NH4Cl時,在250℃就和Ga2O3反應(yīng),生成揮發(fā)性GaCl3。
    2.這是高純Ga2O3的制法。以高純金屬Ga為陽極,溶解于5%~20%H2SO4溶液里,向溶液加氨水,冷卻,將Ga(NH4)(SO4)2反復(fù)結(jié)晶,在105℃干燥,在過量氧的條件下在800℃灼燒2h,則得到純度為99.99%~99.9999%的產(chǎn)品。
    3.稱取1kg99.9999%的高純鎵放入三頸燒瓶中,加入高純硝酸,使鎵全部溶解,然后過濾,濾液倒入三頸燒瓶中,移至電爐上蒸發(fā)(在通風(fēng)櫥中進(jìn)行),濃縮到接近結(jié)晶時,將溶液移置于大號蒸發(fā)皿中蒸發(fā)至干。將蒸干的Ga(NO33放在馬弗爐中進(jìn)行灼燒,溫度控制在550℃,灼燒5h,待冷卻后取出成品,得1.2kg高純氧化鎵。
     [1] 

    實(shí)驗(yàn)

    氧化鎵納米結(jié)構(gòu)的合成是在管式高溫?cái)U(kuò)散爐中進(jìn)行.首先是將硅片(基底)鍍金,鍍金之前先將硅片依次用丙酮、乙醇和去離子水進(jìn)行超聲水洗,然后放置在烘箱中烘干,最后利用磁控濺射儀濺射沉積厚度約為20nm的金薄膜即可.實(shí)驗(yàn)原材料是氧化鎵粉末,和碳粉按照 1:2的質(zhì)量比混合,放置在石英舟中,在距混合粉末1.5cm左右處擺放鍍金的硅片,根據(jù)氮?dú)饬鞯姆较?,以混合粉末在石英舟上游,硅片在下游的順序?qū)⑹⒅劬徛七M(jìn)高溫?cái)U(kuò)散爐的的石英管的中心.設(shè)定加熱程序,將擴(kuò)散爐加熱到1300℃并保溫60min,然后取出自然冷卻到室溫,可以看到硅片上有大量的白色絮狀物。最后將所得的樣品用SEM、TEM、XRD 等進(jìn)行表征。鎵標(biāo)準(zhǔn)儲備液


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